จีนเร่งผลิตแรม CXMT ตั้งเป้ากำลังผลิต 600,000 เวเฟอร์ต่อเดือนในปี 2028! เพิ่มเกือบ 88% หวังชิงตลาดจาก Samsung-SK hynix-Micron
วิกฤตหน่วยความจำที่กำลังส่งผลกระทบต่อตลาดคอมพิวเตอร์ สมาร์ตโฟน และอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วโลก อาจเปิดโอกาสให้ผู้ผลิตชิปจีนอย่าง ChangXin Memory Technologies (CXMT) เร่งขยายกำลังการผลิต DRAM จนกลายเป็นผู้เล่นสำคัญของตลาดหน่วยความจำทั่วไปมากขึ้น
รายงานจาก TrendForce และ Counterpoint Research ระบุว่า CXMT มีแผนเพิ่มกำลังการผลิตจากปัจจุบันประมาณ 320,000 เวเฟอร์ต่อเดือน เป็น 420,000 เวเฟอร์ต่อเดือนในปี 2027 ก่อนขยายขึ้นไปอยู่ที่ประมาณ 500,000–600,000 เวเฟอร์ต่อเดือนภายในสิ้นปี 2028 หากทำได้ตามเป้าหมายสูงสุด กำลังการผลิตจะเพิ่มขึ้นประมาณ 87.5% จากระดับปัจจุบัน
การขยายกำลังผลิตครั้งนี้เกิดขึ้นในช่วงที่ผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ ได้แก่ Samsung, SK hynix และ Micron กำลังให้ความสำคัญกับหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง (HBM) ซึ่งเป็นส่วนประกอบสำคัญของระบบ AI ทำให้ตลาด DRAM ทั่วไปสำหรับคอมพิวเตอร์และสมาร์ตโฟนยังเผชิญแรงกดดันด้านอุปทาน
CXMT เพิ่มกำลังผลิต DRAM จาก 320,000 สู่ 600,000 เวเฟอร์ต่อเดือน
ข้อมูลจากบริษัทวิจัยตลาดระบุว่า CXMT กำลังเร่งเพิ่มกำลังการผลิตผ่านโรงงานที่มีอยู่และโครงการโรงงานแห่งใหม่ โดยมีเป้าหมายขยายปริมาณการผลิตอย่างต่อเนื่องในช่วงสองปีข้างหน้า
ประมาณการกำลังการผลิต DRAM ของ CXMT มีดังนี้
| ช่วงเวลา | กำลังการผลิตต่อเดือน | การเปลี่ยนแปลง |
|---|---|---|
| ปัจจุบัน | 320,000 เวเฟอร์ | — |
| ปี 2027 | 420,000 เวเฟอร์ | เพิ่มประมาณ 31.3% |
| สิ้นปี 2028 | 500,000–600,000 เวเฟอร์ | เพิ่มสูงสุดประมาณ 87.5% จากปัจจุบัน |
ตัวเลขเหล่านี้หมายถึงกำลังการผลิตเวเฟอร์ DRAM ต่อเดือน ไม่ใช่จำนวนชิปหน่วยความจำสำเร็จรูปที่ส่งมอบให้ลูกค้าโดยตรง เพราะเวเฟอร์หนึ่งแผ่นสามารถผลิตชิปได้หลายตัว ขึ้นอยู่กับขนาดชิป กระบวนการผลิต และอัตราผลผลิตที่ผ่านเกณฑ์
หาก CXMT สามารถเพิ่มกำลังผลิตได้ตามแผน ก็จะมีพื้นที่สำหรับขยายการจัดส่งหน่วยความจำให้กับผู้ผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ โดยเฉพาะตลาดภายในประเทศจีนที่ต้องการลดการพึ่งพาการนำเข้าชิปจากต่างประเทศ
Samsung-SK hynix-Micron มุ่ง HBM เปิดช่องให้จีนรุกตลาดแรมทั่วไป
ปัจจัยสำคัญที่ช่วยเปิดโอกาสให้ CXMT คือการเปลี่ยนแปลงโครงสร้างความต้องการหน่วยความจำจากกระแส AI
ระบบ AI ระดับดาต้าเซ็นเตอร์ต้องใช้ HBM ซึ่งผลิตจากชิป DRAM หลายชั้นที่นำมาซ้อนและเชื่อมต่อกันด้วยกระบวนการบรรจุภัณฑ์ขั้นสูง การผลิต HBM จึงมีความซับซ้อนกว่าหน่วยความจำ DRAM ทั่วไป และใช้ทรัพยากรการผลิตเพิ่มเติม
เมื่อผู้ผลิตรายใหญ่มุ่งเพิ่มกำลังการผลิต HBM เพื่อตอบสนองความต้องการจาก NVIDIA และผู้พัฒนาระบบ AI รายอื่น ตลาด DRAM สำหรับพีซีและสมาร์ตโฟนจึงได้รับผลกระทบจากการแข่งขันด้านกำลังการผลิตและการจัดสรรทรัพยากร
CXMT เลือกให้ความสำคัญกับตลาด DRAM ทั่วไป ซึ่งประกอบด้วยหน่วยความจำ DDR5 สำหรับคอมพิวเตอร์และเซิร์ฟเวอร์ รวมถึง LPDDR สำหรับอุปกรณ์พกพา ทำให้บริษัทมีโอกาสเพิ่มส่วนแบ่งตลาดในช่วงที่ผู้ผลิตรายใหญ่กำลังเร่งรองรับความต้องการจาก AI
อย่างไรก็ตาม การเพิ่มจำนวนเวเฟอร์ไม่ได้หมายความว่าอุปทาน DRAM ทั่วโลกจะเพิ่มขึ้นในสัดส่วนเดียวกัน เพราะยังต้องพิจารณาขนาดชิป อัตราผลผลิต เทคโนโลยีการผลิต และสัดส่วนผลิตภัณฑ์ที่บริษัทเลือกทำตลาดด้วย
โรงงานใหม่ในปักกิ่งเป็นอีกหนึ่งแรงขับเคลื่อนสำคัญ
การขยายกำลังผลิตของ CXMT ยังเชื่อมโยงกับแผนเพิ่มโรงงานผลิตหน่วยความจำในกรุงปักกิ่ง โดยก่อนหน้านี้มีรายงานว่าบริษัทกำลังพิจารณาสร้างโรงงาน DRAM ขนาด 12 นิ้วแห่งใหม่ และมองหาการสนับสนุนจากหน่วยงานท้องถิ่นและบริษัทเทคโนโลยีของจีน
หากโครงการได้รับการอนุมัติและดำเนินการได้ตามแผน ก็จะช่วยเพิ่มพื้นที่การผลิตและรองรับความต้องการหน่วยความจำที่เพิ่มขึ้นในระยะยาว แต่โรงงานเซมิคอนดักเตอร์ต้องใช้เวลาในการก่อสร้าง ติดตั้งเครื่องจักร ทดสอบกระบวนการ และเพิ่มผลผลิตจนถึงระดับที่คุ้มค่าทางธุรกิจ
ดังนั้น แม้ CXMT จะมีเป้าหมายเพิ่มกำลังผลิตอย่างรวดเร็ว แต่ผลกระทบต่อตลาดหน่วยความจำทั่วโลกอาจไม่ได้เกิดขึ้นทันที โดย TrendForce เคยประเมินว่ากำลังผลิตใหม่ของผู้ผลิตจีนส่วนหนึ่งจะถูกดูดซับโดยความต้องการภายในประเทศ โดยเฉพาะตลาด AI และคลาวด์ของจีนเอง
Apple อาจสนใจชิป CXMT แต่ไม่ได้หมายความว่าจะได้ราคาถูก
อีกประเด็นที่น่าสนใจคือโอกาสในการจัดหาหน่วยความจำให้ Apple ซึ่งกำลังเผชิญแรงกดดันด้านต้นทุนและอุปทานหน่วยความจำเช่นเดียวกับผู้ผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกรายอื่น
ก่อนหน้านี้มีรายงานว่า Apple สนใจพิจารณาจัดซื้อหน่วยความจำจาก CXMT เพื่อรองรับความต้องการผลิตภัณฑ์ในตลาดจีน แต่ยังไม่มีการยืนยันอย่างเป็นทางการว่าบริษัทได้ทำสัญญาจัดซื้อชิปกับ CXMT แล้ว
รายงานอีกกระแสระบุว่า Apple เคยขอให้ CXMT ลดราคาหน่วยความจำ แต่ผู้ผลิตจีนไม่ยอมรับข้อเสนอดังกล่าว และเสนอราคาในระดับใกล้เคียงหรือสูงกว่าราคาของผู้ผลิตรายใหญ่อย่าง Samsung ด้วยซ้ำ
หากข้อมูลนี้เป็นจริง ก็สะท้อนให้เห็นว่า CXMT อาจไม่ได้ต้องการแข่งขันด้วยราคาถูกเพียงอย่างเดียว แต่กำลังอาศัยภาวะหน่วยความจำขาดแคลนเพื่อเพิ่มอำนาจต่อรองกับลูกค้า อย่างไรก็ตาม รายละเอียดการเจรจาดังกล่าวยังเป็นข้อมูลจากรายงานที่ไม่ได้รับการยืนยันจากทั้งสองบริษัท
เพิ่มกำลังผลิตเกือบ 88% แต่ RAM จะถูกลงทันทีหรือไม่?
แม้เป้าหมาย 600,000 เวเฟอร์ต่อเดือนจะเป็นตัวเลขที่น่าจับตา แต่ยังเร็วเกินไปที่จะสรุปว่าราคา RAM และหน่วยความจำสำหรับผู้บริโภคจะลดลงอย่างรวดเร็ว
ประการแรก กำลังผลิตใหม่ต้องใช้เวลาในการเพิ่มผลผลิตจริง ประการที่สอง ความต้องการจากศูนย์ข้อมูล AI ยังคงเป็นแรงกดดันสำคัญ และประการที่สาม หน่วยความจำที่ CXMT ผลิตได้อาจถูกจัดส่งให้ลูกค้าภายในจีนเป็นหลัก ก่อนที่จะมีปริมาณเหลือสำหรับตลาดต่างประเทศอย่างมีนัยสำคัญ
นอกจากนี้ การแข่งขันในตลาด DRAM ยังขึ้นอยู่กับคุณภาพชิป ความเร็วที่รองรับ ความเข้ากันได้กับแพลตฟอร์ม และความสามารถในการผลิตให้ได้มาตรฐานตามที่ผู้ผลิตอุปกรณ์กำหนด
สรุป: CXMT กำลังเร่งขยายกำลังผลิต DRAM โดยตั้งเป้าเพิ่มจาก 320,000 เวเฟอร์ต่อเดือนในปัจจุบันเป็น 420,000 เวเฟอร์ในปี 2027 และอาจแตะ 600,000 เวเฟอร์ต่อเดือนในสิ้นปี 2028 หากทำได้ตามเป้าหมาย บริษัทจะมีบทบาทในตลาดหน่วยความจำทั่วไปมากขึ้น ท่ามกลางช่วงเวลาที่ผู้ผลิตรายใหญ่หันไปลงทุนกับ HBM สำหรับ AI มากขึ้น แต่การขยายกำลังผลิตครั้งนี้ยังไม่ได้รับประกันว่าราคา RAM ในตลาดผู้บริโภคจะลดลงทันที เพราะต้องขึ้นอยู่กับปริมาณชิปที่ผลิตได้จริงและความต้องการของตลาดในช่วงเวลาเดียวกัน
ที่มา: Wccftech



