KIOXIA เปิดตัว BiCS FLASH 3D Gen 10! NAND 332 ชั้น เร็วขึ้น 33% ประหยัดไฟกว่าเดิม เจาะตลาด AI Data Center

KIOXIA ประกาศเริ่มส่งตัวอย่าง (Sample) หน่วยความจำ BiCS FLASH 3D NAND รุ่นที่ 10 ให้กับลูกค้าบางรายแล้ว โดยมาพร้อมเทคโนโลยี 332-layer 3D NAND และชิปความจุ 1Tb TLC (Triple-Level Cell) ที่ออกแบบมาเพื่อตอบโจทย์ศูนย์ข้อมูล (Data Center) และงานด้าน AI โดยเฉพาะ พร้อมตั้งเป้าเริ่มผลิตจำนวนมากที่โรงงาน Kitakami Plant Fab2 จังหวัดอิวาเตะ ประเทศญี่ปุ่น ในอนาคตอันใกล้

BiCS FLASH รุ่นใหม่ยังคงใช้เทคโนโลยี CMOS directly Bonded to Array (CBA) และ On-Pitch Select Gate Drain (OPS) ซึ่งเป็นจุดเด่นของ BiCS FLASH รุ่นที่ 8 แต่ได้รับการพัฒนาประสิทธิภาพในหลายด้าน โดยความเร็วของอินเทอร์เฟซ NAND เพิ่มขึ้นเป็น 4.8 Gb/s หรือเร็วขึ้นราว 33% เมื่อเทียบกับรุ่นก่อน

นอกจากนี้ KIOXIA ยังระบุว่ารุ่นใหม่มี ความหนาแน่นของข้อมูล (Bit Density) เพิ่มขึ้นถึง 59% จากการเพิ่มจำนวนชั้น NAND เป็น 332 ชั้น ส่งผลให้สามารถผลิต SSD ความจุสูงขึ้นในขนาดเดิม พร้อมทั้งลดการใช้พลังงานระหว่างการอ่านและเขียนข้อมูลได้สูงสุด 30% ซึ่งมีความสำคัญอย่างมากสำหรับศูนย์ข้อมูลและระบบ AI ที่ต้องใช้งานตลอดเวลา

KIOXIA เปิดเผยว่าการพัฒนา BiCS FLASH รุ่นที่ 9 และรุ่นที่ 10 ดำเนินไปพร้อมกัน แต่มีเป้าหมายแตกต่างกัน โดย BiCS FLASH Gen 9 จะเน้นการผลิตที่มีต้นทุนต่ำและคุ้มค่ามากขึ้น ขณะที่ Gen 10 มุ่งเน้นการเพิ่มจำนวนชั้น NAND เพื่อรองรับความจุระดับมหาศาลและประสิทธิภาพสูงสำหรับตลาด Enterprise และ AI

ย้อนกลับไปเมื่อปีที่ผ่านมา KIOXIA ได้เริ่มส่งตัวอย่าง BiCS FLASH Gen 9 ที่ใช้ NAND แบบ 120 ชั้น พร้อมชิป 512Gb TLC ขณะที่การมาของ Gen 10 ถือเป็นการก้าวกระโดดครั้งสำคัญด้วยการเพิ่มจำนวนชั้นเป็น 332 ชั้น และความจุ 1Tb TLC เพื่อรองรับความต้องการของอุตสาหกรรม AI ที่เติบโตอย่างรวดเร็ว

การเปิดตัวครั้งนี้สะท้อนให้เห็นว่าผู้ผลิตหน่วยความจำกำลังเร่งพัฒนาเทคโนโลยี NAND เพื่อรองรับการแข่งขันในยุค AI โดยเน้นทั้งความจุ ความเร็ว และการประหยัดพลังงาน ซึ่งกลายเป็นปัจจัยสำคัญของศูนย์ข้อมูลยุคใหม่

ที่มา: Tweaktown