YMTC เตรียมลุยตลาดแรม LPDDR5X เต็มตัว! เล็งผลิตชิปความเร็ว 9,600 MT/s ใช้โครงสร้าง 4F² ปูทางสู่ 3D DRAM

YMTC ผู้ผลิตหน่วยความจำ NAND Flash รายใหญ่จากจีน กำลังเตรียมขยายธุรกิจเข้าสู่ตลาด DRAM อย่างจริงจัง โดยมีรายงานว่าบริษัทเตรียมเริ่มผลิตหน่วยความจำ LPDDR5X ความเร็ว 9,600 MT/s ในระดับปริมาณมาก ผ่านโรงงาน Fab 3 พร้อมใช้เทคโนโลยีเซลล์หน่วยความจำแบบ Vertical Channel Transistor (VCT) ที่มีโครงสร้าง 4F² ซึ่งอาจช่วยเพิ่มความหนาแน่นในการจัดเก็บข้อมูลบนพื้นที่ซิลิคอนเดียวกัน

ข้อมูลจาก Counterpoint Research ระบุว่า YMTC เริ่มผลิตชิป LPDDR5X ขนาด 16Gb ด้วยความเร็ว 7,500 MT/s ในปริมาณจำกัดที่โรงงาน Fab 2 มาตั้งแต่เดือนตุลาคม 2025 โดยมีกำลังการผลิตประมาณ 5,000 เวเฟอร์ต่อเดือน แม้ก่อนหน้านี้ตลาดจะรับรู้ว่าบริษัทกำลังพัฒนา DRAM ควบคู่กับธุรกิจ NAND Flash อยู่แล้ว แต่ข้อมูลดังกล่าวแสดงให้เห็นว่า YMTC เริ่มผลิตหน่วยความจำประเภทนี้จริงมาได้ระยะหนึ่งแล้ว

จากผู้ผลิต NAND Flash สู่ตลาด DRAM ความเร็วสูง

YMTC เป็นที่รู้จักในอุตสาหกรรมจากเทคโนโลยี NAND Flash และการออกแบบหน่วยความจำแบบซ้อนชั้น แต่การขยับเข้าสู่ตลาด DRAM จะช่วยให้บริษัทมีผลิตภัณฑ์ครอบคลุมมากขึ้น โดยเฉพาะ LPDDR5X ซึ่งถูกนำไปใช้ในสมาร์ตโฟน แท็บเล็ต โน้ตบุ๊ก และอุปกรณ์ที่ต้องการหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูงแต่ใช้พลังงานต่ำ

ปัจจุบันบริษัทมีรายงานว่ากำลังเตรียมขยายการผลิต LPDDR5X ไปสู่ความเร็ว 9,600 MT/s ที่โรงงาน Fab 3 โดยใช้โครงสร้างเซลล์แบบ VCT 4F² ซึ่งแตกต่างจากโครงสร้าง 6F² ที่ใช้กันอย่างแพร่หลายใน DRAM ทั่วไป

อย่างไรก็ตาม การเตรียมผลิตในปริมาณมากยังไม่ใช่หลักฐานว่าบริษัทสามารถส่งมอบชิปได้ในระดับเดียวกับผู้ผลิต DRAM รายใหญ่แล้ว เพราะยังต้องพิจารณาอัตราการผลิตชิปที่ผ่านมาตรฐาน ต้นทุน และความสม่ำเสมอของคุณภาพด้วย

โครงสร้าง 4F² ลดพื้นที่เซลล์ หวังเพิ่มความหนาแน่นของหน่วยความจำ

หนึ่งในเทคโนโลยีที่ YMTC และผู้ผลิต DRAM จีนอย่าง CXMT กำลังผลักดันคือ 4F² DRAM ซึ่งออกแบบให้เซลล์หน่วยความจำใช้พื้นที่เล็กลงเมื่อเทียบกับโครงสร้าง 6F² แบบดั้งเดิม

แนวทางนี้อาจช่วยให้ผู้ผลิตเพิ่มความหนาแน่นของหน่วยความจำได้ โดยไม่จำเป็นต้องขยายพื้นที่ชิปในอัตราเดียวกับปริมาณข้อมูลที่เพิ่มขึ้น แต่การนำไปใช้งานจริงยังมีความท้าทาย ทั้งการควบคุมกระบวนการผลิต ความซับซ้อนของโครงสร้างทรานซิสเตอร์ และการรักษาอัตราการผลิตที่ผ่านมาตรฐานให้สูงพอ

หาก YMTC สามารถพัฒนาเทคโนโลยีดังกล่าวไปสู่การผลิตเชิงพาณิชย์ได้สำเร็จ ก็อาจช่วยเพิ่มขีดความสามารถในการแข่งขันกับ Samsung, SK hynix และ Micron ในตลาดหน่วยความจำได้มากขึ้น

Xtacking 4.0 อาจเป็นแต้มต่อในการพัฒนา 3D DRAM

นอกจากการพัฒนาเซลล์ 4F² แล้ว YMTC ยังมีเทคโนโลยี Xtacking 4.0 ซึ่งเป็นพื้นฐานสำคัญของการผลิต NAND Flash แบบซ้อนชั้น โดยใช้แนวทางแยกเวเฟอร์เซลล์หน่วยความจำออกจากเวเฟอร์วงจรลอจิก แล้วนำมาประกบเข้าด้วยกันผ่านกระบวนการ Hybrid Bonding

กระบวนการนี้ทำให้ส่วนประกอบซิลิคอนสองส่วนเชื่อมต่อกันอย่างหนาแน่น ด้วยการสร้างพันธะระหว่างจุดเชื่อมต่อโลหะขนาดเล็ก และสามารถนำไปใช้กับการซ้อนชิปหรือการเชื่อมต่อเวเฟอร์ทั้งแผ่นได้

ความเชี่ยวชาญด้านการซ้อนชั้นและการเชื่อมต่อซิลิคอนดังกล่าวอาจเป็นพื้นฐานที่มีประโยชน์ หาก YMTC ต้องการพัฒนาต่อยอดไปสู่ 3D DRAM ซึ่งเป็นแนวทางที่มีเป้าหมายเพิ่มความหนาแน่นของหน่วยความจำด้วยการจัดวางโครงสร้างในแนวตั้ง

อย่างไรก็ตาม การมีเทคโนโลยีซ้อนชั้นสำหรับ NAND Flash ไม่ได้หมายความว่าจะสามารถนำมาใช้กับ DRAM ได้โดยตรงทั้งหมด เพราะ DRAM มีข้อกำหนดด้านเซลล์จัดเก็บข้อมูล การเข้าถึงข้อมูล และความเสถียรในการทำงานที่แตกต่างกัน

Micron เลือกเดินหน้ากับ 6F² ระหว่างรอ 3D DRAM

ในอีกด้านหนึ่ง Micron เพิ่งยืนยันว่าจะไม่เดินหน้าผลักดัน DRAM แบบ 4F² สู่ตลาดตามแนวทางที่เคยวิจัยมาเป็นเวลานาน แต่จะยังใช้โครงสร้างเซลล์ 6F² ต่อไปจนกว่าเทคโนโลยี 3D DRAM จะพร้อมสำหรับการผลิตเชิงพาณิชย์

ทิศทางนี้ทำให้ผู้ผลิตแต่ละรายมีแนวทางแตกต่างกัน โดย YMTC และ CXMT จากจีนกำลังผลักดัน 4F² ขณะที่ Micron เลือกมุ่งไปสู่ 3D DRAM ในระยะต่อไป

สำหรับ YMTC การมีทั้งประสบการณ์ด้าน NAND Flash แบบซ้อนชั้นและการพัฒนา DRAM อาจเป็นข้อได้เปรียบเชิงเทคโนโลยี แต่บริษัทก็ยังเผชิญข้อจำกัดจากการเข้าถึงเครื่องมือผลิตเซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูง โดยเฉพาะการใช้เครื่องลิโทกราฟีแบบ DUV แทนเครื่อง EUV ในบางกระบวนการ

ดังนั้น แม้โครงสร้าง 4F² จะมีศักยภาพด้านความหนาแน่นของเซลล์ แต่ความสำเร็จในตลาดจะขึ้นอยู่กับความสามารถในการผลิตจริงและต้นทุนต่อชิปด้วย

จีนเร่งสร้างทางเลือกใหม่ในตลาดหน่วยความจำ

หาก YMTC ขยายการผลิต LPDDR5X ได้ตามเป้าหมาย บริษัทจะมีโอกาสเพิ่มบทบาทในตลาดหน่วยความจำสำหรับอุปกรณ์ผู้บริโภค พร้อมต่อยอดความรู้ด้านการผลิตไปสู่ DRAM รุ่นต่อไป

สิ่งที่ต้องติดตามคือกำลังการผลิตจริงของ Fab 3 อัตราการผลิตชิปที่ผ่านมาตรฐาน และความคืบหน้าของโครงสร้าง 4F² รวมถึงว่า YMTC จะสามารถพัฒนาเทคโนโลยี 3D DRAM จากพื้นฐาน Xtacking ได้เร็วเพียงใด

สรุป: YMTC กำลังขยับจากฐานธุรกิจ NAND Flash เข้าสู่ตลาด DRAM โดยเริ่มผลิต LPDDR5X ขนาด 16Gb ความเร็ว 7,500 MT/s ในปริมาณจำกัดมาตั้งแต่ปี 2025 และเตรียมขยายสู่ความเร็ว 9,600 MT/s ด้วยโครงสร้าง VCT 4F² หากทำได้ตามแผน บริษัทอาจกลายเป็นผู้เล่นที่น่าจับตาในตลาดหน่วยความจำจีน แต่ยังต้องพิสูจน์ความสามารถในการผลิตปริมาณมากด้วยต้นทุนและคุณภาพที่แข่งขันกับผู้ผลิตรายใหญ่ได้จริง

ที่มา: TechPowerUp